Wspólna praca studentów, doktorantów i pracowników ZFPiN zaowocowała nową publikacją naukową w prestiżowym czasopiśmie IEEE Electron Device Letters. Artykuł powstał we współpracy z badaczami z Instytutu Mikroelektroniki i Fotoniki – Sieć Badawcza Łukasiewicz i stanowi kolejny etap naszych badań nad grafenowymi czujnikami pola magnetycznego przeznaczonymi do pracy w ekstremalnych warunkach.

W pracy zatytułowanej „Monotonic High-Field Hall Response of Graphene Devices up to 11 T” przedstawiamy wyniki badań grafenowych czujników Halla przeprowadzonych w silnych polach magnetycznych dochodzących do 11 T. Badania wykazały, że struktury oparte na grafenie zachowują monotoniczną i praktycznie niezakłóconą odpowiedź w całym analizowanym zakresie pól magnetycznych, podczas gdy konwencjonalne czujniki półprzewodnikowe wykonane z InSb mogą wykazywać wyraźne zniekształcenia sygnału związane z efektem magnetooporowym. Uzyskane wyniki potwierdzają potencjał grafenu jako materiału dla czujników przeznaczonych do pracy w wymagających warunkach, obejmujących zarówno bardzo silne pola magnetyczne, jak i temperatury kriogeniczne.

Istotna część badań została przeprowadzona podczas kampanii pomiarowej w Instytucie Niskich Temperatur i Badań Strukturalnych PAN we Wrocławiu, gdzie wykorzystano infrastrukturę umożliwiającą prowadzenie eksperymentów w wieloteslowych polach magnetycznych. O samym wyjeździe i realizowanych tam pomiarach pisaliśmy już wcześniej w aktualnościach >>> TUTAJ <<<

Publikacja stanowi kolejny krok w rozwoju grafenowych platform sensorowych przeznaczonych do pracy w ekstremalnych warunkach środowiskowych. Szczególnie cieszy nas fakt, że artykuł jest efektem współpracy osób znajdujących się na różnych etapach kariery naukowej oraz wspólnych działań realizowanych przez kilka współpracujących ze sobą ośrodków badawczych.

Artykuł został opublikowany w formule Open Access. Pełny tekst publikacji dostępny jest >>> TUTAJ <<<