Dzięki współpracy z naukowcami z Uniwersytetu Wrocławskiego oraz Leibniz Institute for High Performance Microelectronics udało nam się opublikować na łamach czasopisma Applied Surface Science wyniki badań dotyczące wpływu utleniania monokryształu HfSe₂ na jego powierzchnię!

Oryginalność badań polega na ukazaniu dynamiki utleniania tego materiału w dotychczas niezbadanych krótkich przedziałach czasowych (poniżej 24 godzin). Analiza za pomocą technik Spektroskopii rentgenowskiej z dyspersją energii (EDX, EDS) i Spektroskopii fotoelektronów w zakresie promieniowania X (XPS) wykazała, że w trakcie utleniania atomy tlenu zastępują atomy selenu zarówno na powierzchni HfSe₂, jak i w obszarze przypowierzchniowym. Jednocześnie atomy selenu dyfundują na powierzchnię, tworząc nanostruktury, których wzrost zaobserwowaliśmy za pomocą Skaningowej mikroskopii elektronowej (SEM). Co istotne, wnioski płynące z badań eksperymentalnych zostały potwierdzone za pomocą symulacji komputerowych.

>>> TUTAJ <<< znajdziecie bezpośredni odnośnik do artykułu, zachęcamy do lektury 😊