Właśnie ukazał się nasz nowy artykuł naukowy, poświęcony badaniom cienkich warstw antymonku indu (InSb) wytwarzanych metodą Flash Evaporation Epitaxy (FEE). Praca dotyczy heterostruktur InSb/GaAs i koncentruje się na analizie ich jednorodności strukturalnej oraz zróżnicowania właściwości elektrycznych, które pojawiają się mimo kontrolowanych warunków technologicznych.

W artykule zatytułowanym Material-Based Uniqueness in InSb Thin Films: Flash Evaporation Epitaxy as a Tool for Secure Device Engineering pokazaliśmy, że choć otrzymywane warstwy charakteryzują się dobrą jakością strukturalną, jednorodnym składem chemicznym oraz gładką morfologią powierzchni, ich parametry elektryczne wykazują mierzalne lokalne różnice. Zjawisko to wynika z samej natury procesu FEE, a nie z defektów strukturalnych czy istotnych odchyleń stechiometrii. Przeanalizowaliśmy szczegółowo te różnice, wykorzystując pomiary efektu Halla i rezystancji warstwy, a także badania z użyciem skaningowej mikroskopii elektronowej (SEM), spektroskopii dyspersji energii (EDS) oraz mikroskopii sił atomowych (AFM).

Istotnym elementem pracy jest pokazanie, że taka „niedoskonała jednorodność” nie musi być wadą — przeciwnie, może stanowić funkcjonalną cechę materiału. Zaproponowane podejście wskazuje na możliwość wykorzystania naturalnej zmienności parametrów elektrycznych cienkich warstw InSb jako podstawy do tworzenia fizycznie nieklonowalnych kluczy (Physical Unclonable Functions), co otwiera nowe perspektywy dla zastosowań w obszarze bezpieczeństwa sprzętowego i identyfikacji urządzeń.

Publikacja wpisuje się w aktualne badania nad funkcjonalnymi materiałami półprzewodnikowymi i pokazuje, jak zjawiska zwykle traktowane jako ograniczenia technologiczne mogą zostać twórczo wykorzystane w nowoczesnych zastosowaniach.

Pełny tekst artykułu można przeczytać >>> TUTAJ <<<, a my już pracujemy nad kolejnym!